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典型 (在500 mm的50 %时) ≤ 30 ppm/KkQV广州南创电子科技有限公司
重复精度 ±5 µm kQV广州南创电子科技有限公司
工作电压 20.0...28.0 V kQV广州南创电子科技有限公司
用于动态规则应用 No kQV广州南创电子科技有限公司
短路保护 对地，对36 V DC kQV广州南创电子科技有限公司
反极性保护 36 V kQV广州南创电子科技有限公司
保护管材料 不锈钢1.4571 kQV广州南创电子科技有限公司
防护等级符合IEC 60529 IP67 (带插接器) kQV广州南创电子科技有限公司
位置传感器数，出厂设置 1 STkQV广州南创电子科技有限公司
电气特征关闭编程输入端 20 … 28 V DC, High-active 接口 插接器, M16 kQV广州南创电子科技有限公司
仓储温度，低 100 °C kQV广州南创电子科技有限公司
电缆/插头出线 轴向kQV广州南创电子科技有限公司
固定方式 螺纹法兰M18x1.5 kQV广州南创电子科技有限公司
环境温度Ta， 85 °C kQV广州南创电子科技有限公司
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结构 型号系列，杆式结构kQV广州南创电子科技有限公司
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德国巴鲁夫balluff磁致伸缩位移传感器BTL6-A301-M0250-A1-S115无线传感网需要大量的新型直线位移传感器，不仅要求具有传统直线位移传感器的基本功能外，还必须具有低功耗和无线高传输等特点。而MOEMS可使传感技术有着更快的转换和传输速率，使得光网可快速加入以光传输为主导的物联网，光网会在未来10年内普遍地加入到物联网中。巴鲁夫balluff电子尺BTL6-A301-M0250-A1-S115范茂军强调，在加入的过程中还需要克服几个主要问题：一是光信息的处理技术，balluffBTL6-A301-M0100-A1-S115位移传感器二是光信息的快速转换技术，三是微型光信息的快速和反复擦除技术及芯片技术。目前国内外在MOEMS研发方面取得了一些新的进展，表现在光通信中的各种开关实现了光信号的通路转换以及在多种直线位移传感器中实现了光作为检测和转换的多种应用。微纳米技术是未来微直线位移传感器的核心技术之一，而微直线位移传感器是物联网中应用最多的一种BTL6-A301-M0300-A1-S115电子尺直线位移传感器。如果微纳米等新技术快速融合到直线位移传感器技术之中，这不仅将为直线位移传感器产品发展带来新材料、新工艺、新技术，还可给直线位移传感器在设计方面带来新的突破。这也将成为物联网发展的新动力。目前，巴鲁夫BTL6-A301-M0250-A1-S115磁致伸缩位移传感器全球的直线位移传感器市场在不断变化的创新之中呈现出快速增长的趋势，新技术的发展将重新定义未来的直线位移传感器市场。我国直线位移传感器厂商在传统直线位移传感器市场已“城门失守”，在MEMS、MOEMS等新技术领域，BTL6-A301-M0300-A1-S115电子尺还需加强修炼，以在新一轮的竞争中能够成功上位。kQV广州南创电子科技有限公司
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