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BALLUFF巴鲁夫位移传感器BTL6-A110-M0850-A1-S115原理:HR5广州南创电子科技有限公司
典型 (在500 mm的50 %时) ≤ 30 ppm/KHR5广州南创电子科技有限公司
重复精度 ±5 µm HR5广州南创电子科技有限公司
工作电压 20.0...28.0 V HR5广州南创电子科技有限公司
用于动态规则应用 No HR5广州南创电子科技有限公司
短路保护 对地,对36 V DC HR5广州南创电子科技有限公司
反极性保护 36 V HR5广州南创电子科技有限公司
保护管材料 不锈钢1.4571 HR5广州南创电子科技有限公司
防护等级符合IEC 60529 IP67 (带插接器) HR5广州南创电子科技有限公司
位置传感器数,出厂设置 1 STHR5广州南创电子科技有限公司
电气特征关闭编程输入端 20 … 28 V DC, High-active 接口 插接器, M16 HR5广州南创电子科技有限公司
仓储温度,低 100 °C HR5广州南创电子科技有限公司
电缆/插头出线 轴向HR5广州南创电子科技有限公司
固定方式 螺纹法兰M18x1.5 HR5广州南创电子科技有限公司
环境温度Ta, 85 °C HR5广州南创电子科技有限公司
环境温度Ta,小 -40 °C HR5广州南创电子科技有限公司
结构 型号系列,杆式结构HR5广州南创电子科技有限公司
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德国巴鲁夫balluff磁致伸缩位移传感器BTL6-A110-M0850-A1-S115磁致伸缩位移传感器是利用与录音技术相似的方法,通过录磁头在磁性尺上录制出间隔严格相等的磁波这一过程称为录磁。已录制好磁波的磁性尺称为磁致伸缩位移传感器。磁致伸缩位移传感器ELGO上相邻栅波的间隔距离称为磁栅的波长,又称为磁栅的节距(栅距)。HR5广州南创电子科技有限公司
巴鲁夫balluff电子尺BTL6-A110-M0850-A1-S115磁致伸缩位移传感器是磁栅数显系统的基准元件。显然,波长就是磁致伸缩位移传感器的长度计量单位。任一被测长度都可用与其对应的若干磁栅波长之和来表示。HR5广州南创电子科技有限公司
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巴鲁夫BTL6-A110-M0850-A1-S115磁致伸缩位移传感器磁致伸缩位移传感器的尺体可由满足一定要求的硬磁合金制成。也可由表面镀上一层硬磁合金的磁性材料制成。对制成磁致伸缩位移传感器的硬磁合金磁性材料的性能应有如下要求:HR5广州南创电子科技有限公司
1)良好的磁性能 材料应具有较大的剩磁和矫顽力,即材料的磁滞回线应较胖大。HR5广州南创电子科技有限公司
2)良好的磁均匀性 材料的磁性能越均匀越好,以保证录磁后的剩磁幅值相等,否则将影响磁栅的精度。HR5广州南创电子科技有限公司
3)良好的磁稳定性 材料录磁后的剩磁强度应不会有随着时间的延伸而很快减弱的性能。HR5广州南创电子科技有限公司
4)良好的力学性能 材料应具有较高的机械强度、硬度和耐磨度,易于机械加工及不易受外界温度和湿度变化。HR5广州南创电子科技有限公司
5)一定的频率特性 能保证在一定的剩磁强度的要求下录上所需频率(波长)的磁波。HR5广州南创电子科技有限公司
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